1、ISO最低只有200,相对ISO100来说容易产生更多的噪音;
2、D70的图像传感器是CCD的,由于CCD的高工作电压和更多的电荷聚积,使得CCD像磁铁吸附铁屑一样成为周围灰尘的收集体,相比之下,低电压、弱电荷的CMOS在这方面的问题远没有这么严重。事实也的确表明,如果经常更换镜头的话,使用CCD的单反数码相机一个月后的灰尘影响会让你难以容忍,而相同使用条件下,使用CMOS的单反数码相机在使用半年以后灰尘问题仍然不算十分严重。
背景资料
D70的优点:
经过改良的600万像素APS规格CCD
尼康顶尖测光技术——3D RGB矩阵测光
三种专业色彩空间
对焦速度快
开机速度异常迅速
3张/秒的无限连拍
图片处理速度快
大字体中文菜单
支持i-TTL闪光、无线遥控闪光
高感光度表现良好
自动ISO控制
兼容TYPE I/II CF卡
重量轻
耗电省
分辨率高
缺点:
塑料机身光滑、耐用性稍差
Pentamirror取景器略暗
AF-S/AF-C切换不便
部分按钮过小
套机镜头畸变大
CCD 与CMOS 是什么?
CCD与CMOS是图像传感器的两种类型,是数码相机的核心部件。
CCD是英语Charge-Coupled Device的缩写,直译为“光电荷耦合器件”;CMOS是英语Complementary Metal Oxide Semiconductor的缩写,直译为“互补金属氧化物半导体”。两者都是利用感光二极管进行光电转换,将感光信息转换为电信号,而其主要差异是信号传送的方式不同。
和传统相机一样,数码相机也利用镜头成像,只是原来放置胶片的位置换成了图像传感器——CCD或CMOS。图像传感器的感光二极管将光信号转换为电信号,但这个信号并不是数字化的,而是模拟的,模拟信号经放大后传给“模-数”转换器ADC,由ADC转换数字信号,再由数字处理器DSP经过计算生成图像文件。
CCD生成的电信号以“行”为单位传输给放大器和ADC,而CMOS的电信号每个点都有放大器,芯片本身就集成了ADC,这种差异造成了两者的根本不同。
CMOS在大面积图像传感器方面的优势:
CCD的出现比CMOS要早一些,技术也比较成熟。由于CCD的感光信号以“行”为单位传输,电路占据的位置比较小,密度可以做得高一些,而CMOS传感器的单个感光单元要比CCD的复杂,感光效率也很难达到CCD传感器的水平,因此,相同芯片尺寸的CCD与CMOS相比,CCD可以排布更多的感光单元,而在感光单元面积相同时,CCD也可以获得更高的灵敏度,因此,在小型数码相机上,目前CCD是竞争的赢家。
但是,如果芯片尺寸增加,单个感光单元的面积不再成为一种限制后,CMOS的局限就不明显了。由于CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺(这也是CMOS传感器名称的由来),可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、时钟甚至DSP等)集成到传感器芯片中,因此可以节省外围芯片的成本。此外,由于CCD采用电荷传递的方式传送数据,只要其中有一个像素不能运行,就会导致一整排的数据不能传送,因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多,即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破成品率50%的水平,因此,CCD传感器的综合成本会高于CMOS传感器,尤其是当芯片面积增大以后。所以,大面积CCD的制造难度是CCD很难跨越的一个门槛。
CCD是一个典型的开发容易、实用化难的产品。其基本架构非常简单,只需要3层滤镜。但到真正的产品上,则需要40多层滤镜,需要非常特殊的工艺才能投诸生产,仅仅这一个工艺就很少有厂家能掌握,有资料称,目前掌握这一工艺的公司全球只有6家。而CMOS工艺是生产大规模集成电路的常规工艺,有相当多的厂家具备加工生产的能力。
差异不仅仅在于生产成本,CMOS传感器的图像采集方式为主动式,受光线照射,感光二极管所产生的电荷会直接由晶体管放大输出,而CCD传感器为被动式采集,需外加电压让每个像素中的电荷移动,因此,CCD传感器除了在电源管理电路设计上的难度更高之外,高驱动电压使其功耗远高于CMOS传感器的水平。尽管技术的进步已经使CCD的功耗降低了很多,由于起点不同,CCD在功耗方面似乎永远要高于CMOS。
寻址速度快也是CMOS的一个优势。由于采用单点信号传输,通过简单的X-Y寻址技术,允许从整个排列、部分甚至单个像素来读出信号,大大提高了寻址速度,从而实现更快的信号传输,允许使用更快的快门速度,快门时滞也更为缩短。
当然,CMOS也有其固有不足,由于CMOS传感器中感光二极管的信号比较微弱,在进行“模-数”转换之前,必须先行放大,从而要给每个感光单元搭配一个放大器,但很难让每个放大器所得到的结果保持一致,因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比,CMOS传感器会带来更多的杂讯——影像噪点,影响图像品质。然而,通过巧妙的技术措施,CMOS的杂讯问题已经得到了很好的控制。早在EOS D30时代,为了克服低灵敏度、高杂讯这些CMOS传感器上常见的问题,佳能就开发出了3项崭新的技术,即片上消除噪点技术、全像素电荷转移技术和片上模拟处理技术。这项革新有效地降低了噪声,并加速了信号的输出,经过几年的技术积累,这方面的技术措施已经相当成熟。
CCD与CMOS各有其优势和不足,但CCD的许多不足是难以逾越的,而CMOS扬长而同时能避短,在大面积图像传感器的技术竞争中全面战胜CCD也就不足为怪了。
--背景资料转自迪派摄影的忧天的《CMOS将开创DSLR新篇章?》 |